希格斯玻色子对电子电偶极矩的贡献

在有效场论框架下，确定了在重希格斯退耦极限附近第二希格斯二重子对电子电偶极矩的贡献。在满足 Glashow-Weinberg 条件的模型中，该极限下有效六维的首领贡献被证明来自包含类标准模型希格斯玻色子的双圈 Barr-Zee 图。包含重希格斯玻色子的附加图是次首领的，且在退耦极限附近仅在有效八维处贡献。这一简化意味着，在此极限的首领阶，第二希格斯二重子对电子电偶极矩的贡献可完全用希格斯二重子期望值之比以及出现在类标准模型希格斯玻色子与费米子的有效耦合中的单一普适相位来表达，而无需直接提及重希格斯玻色子质量或耦合。ACME II 实验最近的界限在 I 型和 IV 型双希格斯二重子模型中以千分之一水平约束了类标准模型希格斯玻色子与 up 型夸克和轻子的耦合相位。在 II 型和 III 型模型中，这些相位被约束在千分之二或更好水平，除了一小块具有近乎相等希格斯二重子期望值的参数空间，其中贡献图之间恰好发生相消干涉。在更一般的现象学参数化中，若类标准模型希格斯玻色子与第三代费米子及电子的耦合具有各自独立的有效相位，则顶夸克和电子耦合相位被约束在千分之一水平（除极小参数空间条带外），而底夸克和 tau 轻子耦合相位仅被约束在百分之三十水平。