丝状 RRAM 器件中的热传递与 SET 电压
材料科学
2017-11-22 v1
摘要
我们通过将 COMSOL 建模的精确结果与两种互补机制的简化解析模型进行比较，研究了丝状 RRAM 纳米尺寸器件中的热传输：一种忽略从导电细丝到绝缘基底的径向热传递，而另一种描述在不存在导电细丝热传递的情况下通过介电层的径向传输。对于前者，我们发现先前假设电极为理想热导体的简化是不充分的；我们推导出了一个更恰当的近似，其中热传输由电极中导电细丝尖端的相邻邻近区域决定。我们发现这两种互补机制都高估了最高温度，但仍提供了可接受的结果。然而，两者并联提供了一个更好的解析近似。此外，我们表明，当从实际数据中选择 Lorenz 参数时，Wiedemann-Franz-Lorenz 定律有助于分析。我们提出了一个具有高度普适性的 SET 电压近似表达式，并预测具有低 Lorenz 数的导电细丝材料可以成为未来低 SET 电压器件的良好候选者。
引用
@article{arxiv.1703.01228,
title = {Heat transfer and SET voltage in filamentary RRAM devices},
author = {Dipesh Niraula and Victor G. Karpov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.01228},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 6 figures, deals with heat transfer mechanism in a nano sized RRAM device