He II 光学深度与星系的紫外逃逸分数
宇宙学与河外天体物理
2016-09-13 v2
摘要
我们研究了从高红移 (high-z) 星系逃逸的 H I 电离光子对 He II 电离紫外背景 (UVB) 辐射的影响。虽然这些光子不直接与 He II 离子相互作用，但我们表明，它们通过辐射传输在改变 UVB 谱中 He II 电离部分的形状方面起着重要作用。在观测到的星系紫外逃逸范围内，我们表明，z~2.7 处 He II Lyman alpha 有效光学深度的快速增加可以自然地由辐射传输效应来解释。因此，在 He II 再电离时代之后，测量良好的 He II Lyman alpha 有效光学深度与红移之间的关系可用于对高红移星系紫外逃逸的红移演化施加额外的约束。我们的研究还表明，来自星系的 H I 电离光子的逃逸分数在 He II 电离 UVB 的涨落中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1211.4579,
title = {He II optical depth and UV escape fraction of galaxies},
author = {Vikram Khaire and Raghunathan Srianand},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.4579},
year = {2016}
}
备注
Published in MNRAS Letters, replacement of a figure and minor text changes corresponding to published version