利用 CLAS 在后向角上的硬排他 π 介子电生

我们报道了在共振区之上、π 介子后向质心角处，对离开质子的排他深度虚 π 介子电生 $e p \to e^\prime n \pi^+$ 截面首次测量。测量了依赖于 $\varphi^*_{\pi}$ 的截面，从中我们提取了质子结构函数的三种组合。我们的结果与基于核子到 π 介子跃迁分布振幅（TDAs）的计算相容，并为核子结构提供了新见解。