半金属性硅烯和锗烯纳米带：迈向高性能自旋电子器件
材料科学
2015-06-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过第一性原理计算，我们预测面内均匀电场可以诱导氢终端锯齿形硅烯和锗烯纳米带（ZSiNRs 和 ZGeNRs）产生半金属性。基于从头算量子输运模拟，双栅极有限 ZSiNR 器件展现出高达 99% 的近乎完美的自旋过滤效率，而四栅极有限 ZSiNR 器件则作为一种有效的自旋场效应晶体管（FET），其开/关电流比超过 100。这一发现开启了硅烯和锗烯在自旋电子学领域的新前景。
引用
@article{arxiv.1304.2853,
title = {Half-Metallic Silicene and Germanene Nanoribbons: towards High-Performance Spintronics Device},
author = {Yangyang Wang and Jiaxin Zheng and Zeyuan Ni and Ruixiang Fei and Qihang Liu and Ruge Quhe and Chengyong Xu and Jing Zhou and Zhengxiang Gao and Jing Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.2853},
year = {2015}
}