使用两味Wilson费米子在有限温度和密度下的强子性质

在具有两味Wilson费米子的格点QCD模拟中，研究了有限温度和密度下的介子性质。为此，我们研究了赝标量（PS）和矢量（V）通道中介子的屏蔽质量。模拟在 $16^3\times 4$ 格点上沿恒定物理线进行，其中 $m_{\rm PS}/m_{\rm V}|_{T=0}=0.65$ 和 0.80，$m_{\rm PS}/m_{\rm V}|_{T=0}$ 是 $T=0$ 时PS和V通道中介子质量的比值。温度范围为 $T/T_{\rm pc}=(0.8 - 4.0)$，其中 $T_{\rm pc}$ 是赝临界温度。我们发现，经温度归一化的屏蔽质量 $M_0/T$ 的温度依赖性在 $T_{\rm pc}$ 附近显示出显著结构，并在高温下两个通道都趋近于 $2\pi$，这与高温极限下自由夸克热质量的两倍一致。还通过使用关于夸克化学势的泰勒展开方法研究了低密度下的屏蔽质量。我们发现，在该温度范围内，领头阶的展开系数变为正数，并且热效应和密度效应对介子屏蔽质量的影响在夸克-胶子等离子体相中变得明显。还将介子屏蔽质量与有限温度和密度下的胶子（德拜）屏蔽质量进行了比较。