V$_{2}$O$_{3}$/Ni 薄膜中生长诱导的面内单轴各向异性

我们报道了 V$_{2}$O$_{3}$/Ni 混合薄膜中应变诱导且温度依赖的单轴各向异性，该各向异性通过界面应变和样品微结构表现出来，并影响依赖于角度的磁化反转。X 射线衍射和倒易空间图确定了 V$_{2}$O$_{3}$ 的面内晶轴；原子力显微镜和扫描电子显微镜揭示了薄膜微结构中的定向撕裂。准静态磁测量和动态铁磁共振测量确定了沿着撕裂方向的单轴磁易轴。与在无撕裂的蓝宝石上生长的薄膜进行比较，表明 V$_{2}$O$_{3}$/Ni 薄膜中存在应变和微结构的共同贡献。由角依赖的一阶反转曲线测量捕获的磁化反转特征表明，在正交于撕裂方向上存在强烈的畴壁钉扎，从而引起依赖于角度的反转机制变化。由此产生的各向异性可通过温度调控，并在室温下最为显著，这有利于潜在的器件应用。