石墨烯太赫兹非制冷测辐射热计
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
我们提出了一种基于 n 型和 p 型石墨烯层 (GLs) 的太赫兹 (THz) 非制冷测辐射热计概念，其中 GLs 构成吸收区，并通过未掺杂石墨烯纳米带 (GNRs) 阵列连接。GLs 吸收太赫兹辐射，GNR 阵列充当势垒区（形成 nGL-GNR-pGL 测辐射热计）。入射太赫兹辐射在 GL 的 n 区和 p 区被吸收，导致电子和空穴的有效温度及其费米能级发生变化，进而引起通过 GNRs 的电流变化。利用所提出的器件模型，我们计算了暗电流以及测辐射热计响应度随 GNR 能隙、外加电压和太赫兹频率的变化关系。结果表明，所提出的测辐射热计性能可超越使用传统半导体异质结构的热电子测辐射热计。
引用
@article{arxiv.1210.0174,
title = {Graphene terahertz uncooled bolometers},
author = {V. Ryzhii and T. Otsuji and M. Ryzhii and N. Ryabova and S. O. Yurchenko and V. Mitin and M. S. Shur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0174},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures