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$\gamma$-NaAsSe$_2$ 中的巨非共振红外二阶非线性

光学 2022-01-02 v1 材料科学

摘要

红外激光系统在光谱学、通信和生物医学器件等应用中至关重要,其中需要红外非线性光学(NLO)晶体以实现宽带频率下转换。此类晶体需要具有高非共振 NLO 系数、大带隙、低吸收系数、相位匹配能力以及其他相互制约的要求,例如较大的带隙会导致较小的 NLO 系数。在此,我们报道了 γ\gamma-NaAsSe2_2 单晶的成功生长,其在 2μ\mum 波长下表现出 d11_{11}=590 pm V1^{-1} 的巨二次谐波产生(SHG)磁化率;这约为商用 AgGaSe2_2 的十八倍,同时保留了约 1.87eV 的相似带隙,使其成为利用 d11_{11} 的准相位匹配器件的杰出候选者。此外,γ\gamma-NaAsSe2_2 兼具 I 类和 II 类相位匹配能力,并具有高达 16μ\mum 波长的透明范围。因此 γ\gamma-NaAsSe2 是一种用于红外激光应用的有前景的体 NLO 晶体。

关键词

引用

@article{arxiv.2111.13725,
  title  = {Giant Non-resonant Infrared Second Order Nonlinearity in $\gamma$-NaAsSe$_2$},
  author = {Jingyang He and Abishek K. Iyer and Michael J. Waters and Sumanta Sarkar and James M. Rondinelli and Mercouri G. Kanatzidis and Venkatraman Gopalan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2111.13725},
  year   = {2022}
}

备注

Main text: 21 pages, 4 figures