HgMnTe 单晶中的巨抗磁与磁化台阶效应
材料科学
2011-04-07 v1
摘要
在 HgMnTe（x0.16）单晶中，于自旋玻璃（SG）区观测到了巨抗磁（GDM）和磁化台阶现象。GDM 的磁化率约为经典抗磁体的 100-1000 倍。这可解释为：由于 HgMnTe 中 Mn 离子的长程反铁磁（AF）交换相互作用及非均匀随机分布，在临界温度和磁场以下形成准静态自旋波并产生 GDM 现象。同时，基于 XY 模型的二维 AF 团簇蒙特卡罗模拟证明了该理论。因此，在 SG 态中可能出现长程磁有序结构。
引用
@article{arxiv.1104.0995,
title = {Giant-diamagnetic and magnetization-step effects in HgMnTe monocrystal},
author = {Liangqing Zhu and Tie Lin and Jun Shao and Zheng Tang and Junyu Zhu and Xiaodong Tang and Junhao Chu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0995},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 5 figures