D$_{2}$O 中强场增强电离的几何依赖性

我们通过分辨相对于激光偏振的带电碎片动量，研究了 D$_{2}$O 在 40 fs、800 nm、聚焦强度 $< 1 - 3 \times 10^{15}W/cm^2$ 的激光脉冲中的强场增强解离电离。我们观察到，当偏振方向垂直于分子平面时，双电荷离子解离为 OD$^{+}$/D$^{+}$ 占主导；而当偏振方向沿 D-D 轴时，三电荷离子解离为 O$^{+}$/D$^{+}$/D$^{+}$ 强烈占主导。当激光沿分子的 C$_{2v}$ 对称轴偏振时，未观察到双电荷离子解离为 O/D$^{+}$/D$^{+}$ 和 O$^{+}$/D$_{2}$$^{+}$，也未观察到任何显著的多离子碎裂。即使在 OD$^{+}$/D$^{+}$ 的饱和强度以下，O$^{+}$/D$^{+}$/D$^{+}$ 通道仍具有更高的产率。通过分析这两个通道中激光场在分子坐标系内的取向，我们表明增强电离驱动了三电荷三体碎裂，但对双电荷两体碎裂不起作用。我们得出结论，激光诱导的分子势畸变抑制了沿 C$_{2v}$ 轴的多重电离，但增强了沿 D-D 方向的电离。