平面半导体异质结构中薛定谔猫态的生成
介观与纳米尺度物理
2017-10-06 v3
摘要
我们提出一种基于典型平面半导体异质结构的纳米器件，其横向限制势由施加于局部电极的电压产生。我们展示了如何沿纳米器件获得近抛物线型限制，以及如何利用谐振子的相干态实现对应相反自旋方向的电子密度的空间分离。通过这种方式，创建了薛定谔猫型的纠缠态。我们通过对真实纳米器件模型进行数值模拟来执行仿真，即在每个时间步同时求解含时薛定谔方程并通过求解泊松方程跟踪可控限制势。
引用
@article{arxiv.1610.06482,
title = {Generation of Schr\"odinger's cat states in a planar semiconductor heterostructure},
author = {J. Pawłowski and M. Górski and G. Skowron and S. Bednarek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.06482},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 21 figures