高斯有效势与 Hubbard 模型中的反铁磁性
强关联电子
2012-07-10 v3
摘要
高斯有效势（GEP）被证明是研究强关联电子系统磁性质的有力变分工具。GEP 针对强耦合区域中二维二分方格点上的单带 Hubbard 模型进行推导。在半填充时，反铁磁序参量作为有效势的最小值出现，其精度优于 RPA 计算，且与蒙特卡洛模拟的结果非常接近。讨论了向其他磁性系统的推广。
引用
@article{arxiv.0806.4569,
title = {Gaussian Effective Potential and Antiferromagnetism in the Hubbard Model},
author = {Luca Marotta and Fabio Siringo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.4569},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 3 figures; 1 figure removed; final discussion revised and a new reference added