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SrCr₈Ga₄O₁₉ 中局域磁化率的 Ga NMR 研究:伪能隙与顺磁缺陷

强关联电子 2009-10-31 v1

摘要

我们首次报道了基于 Kagome 晶格的几何阻挫反铁磁体 SrCr8_{8}Ga4_{4}O19_{19} 的 Ga(4f) NMR 研究。我们的主要发现是,该阻挫晶格的磁化率在约 50 K 处经过一个极大值。我们的数据还支持存在负责低温宏观磁化率中居里行为的顺磁"团簇"。这些结果为持续争论的几何阻挫磁体的物理特性带来了新的认识。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0004077,
  title  = {Ga NMR study of the local susceptibility in SrCr8Ga4O19: pseudogap and paramagnetic defects},
  author = {P. Mendels and A. Keren and L. Limot and M. Mekata and G. Collin and M. Horvatic},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004077},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 5 figures Submitted to Phys. Rev. Lett