利用囚禁离子选择性位移的进一步量子门方法
量子物理
2016-09-08 v1
摘要
我们考虑利用态选择性离子位移实现囚禁离子的量子门。推广早期工作以处理阱间任意分离。这要求估计库仑相互作用引起的非谐性之影响。我们证明其影响总是足够小以允许高保真度。特别地，该方法可应用于同一阱中的两个离子。我们还证明非相邻离子间（从而 Toffoli（三量子比特受控非）门）的量子门可实现。我们讨论了该门如何应用于编码于无退相干子空间 {|01>,|10>} 中的逻辑量子比特，其中每对离子存储一个量子比特。我们还提出了抑制演化中不需项的自旋回波法的替代方案。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0402054,
title = {Further quantum-gate methods using selective displacement of trapped ions},
author = {Marek Sasura and Andrew Steane},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0402054},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 5 figures