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间隙碳掺杂 Zr5Pt3 中的全带隙超导态

超导电性 2022-07-13 v1 强关联电子

摘要

我们报道了对 Zr5_5Pt3_3Cx_x 超导体的综合研究,其间隙碳含量介于 0 和 0.3 之间。在宏观层面,通过电阻、磁化率和比热测量研究了其超导性,超导临界温度 TcT_c 在 4.5 至 6.3 K 之间。上限临界场 μ0Hc2\mu_0H_\mathrm{c2} \sim 7 T 主要由外加磁场中的电阻测量确定。微观电子性质通过 μ 子自旋旋转与弛豫(μ\muSR)和核磁共振(NMR)技术研究。在正态下,NMR 弛豫数据表明近乎理想的金属行为,能带结构计算证实了这一点,其表明费米能级处存在相对较高的电子态密度,主要由 Zr 4dd 轨道主导。通过横向场 μ\muSR 获得的低温超流密度表明 Zr5_5Pt3_3 和 Zr5_5Pt3_3C0.3_{0.3} 中为全带隙超导态,其零温能隙 Δ0\Delta_0 分别为 1.20 和 0.60 meV,磁穿透深度 λ0\lambda_0 分别为 333 和 493 nm。TcT_c 以下 NMR 弛豫率的指数依赖进一步支持了无节点超导。由零场 μ\muSR 测量确定的在超导起始温度以下无自发磁场,证实了 Zr5_5Pt3_3Cx_x 超导态中时间反演对称性得以保持。与先前研究相反,我们的 μ\muSR 和 NMR 结果表明 Zr5_5Pt3_3Cx_x 家族中具有常规超导性,且与 C 含量无关。

关键词

引用

@article{arxiv.2207.00145,
  title  = {Fully-gapped superconducting state in interstitial-carbon-doped Zr5Pt3},
  author = {T. Shang and J. Philippe and X. Y. Zhu and H. Zhang and B. C. Yu and Z. X. Zhen and H. -R. Ott and J. Kitagawa and T. Shiroka},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2207.00145},
  year   = {2022}
}

备注

9 pages, 11 figures, accepted by Phys. Rev. B