GeNi2O4 中受挫的少数自旋
强关联电子
2007-08-24 v1
摘要
最近观察到，反铁磁尖晶石 GeNiO 在冷却过程中发生了两次连续的相变，分别发生在 K 和 K \cite{matsuno, crawford}。利用非极化和极化弹性中子散射，我们表明这两次相变是由于该化合物中存在受挫的少数自旋所致。冷却至 时， \kagome 面上的自旋在面内呈铁磁有序，而在面间呈反铁磁有序（相 I），使得分隔 \kagome 面的 三角面上的自旋保持受挫和无序状态。在较低的 时，三角面自旋也在 面内有序（相 II）。我们还提出了一个涉及交换相互作用的场景，定性解释了这两次纯磁相变的起源。
引用
@article{arxiv.0708.3162,
title = {Frustrated minority spins in GeNi2O4},
author = {M. Matsuda and J. -H. Chung and S. Park and T. J. Sato and K. Matsuno and H. Aruga-Katori and H. Takagi and K. Kakurai and K. Kamazawa and Y. Tsunoda and I. Kagomiya and C. L. Henley and S. -H. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.3162},
year = {2007}
}