从暴胀到含复标量单态的宇宙学电弱相变

在这项工作中，我们研究同时实现暴胀和强一阶电弱相变（SFOEWPT）并解释遗迹密度的可能性。我们研究了通常的 Higgs 门实单态暗物质模型，以及整体 U(1) 破缺的复单态模型（其中赝标量为暗物质候选者）。我们关注较高的暗物质参数区域，因为较低的暗物质质量区域几乎已被当前直接探测实验排除，除了所谓的 ${\it Higgs~ funnel ~regime}$（$m_{DM}\sim m_h/2$）之外。在两种模型中，SFOEWPT 均可通过两步发生，其中 Higgs-单态四次耦合的大小可解释 Higgs 或单态暴胀。通常的 Higgs 门实单态暗物质模型无法同时解释正确的遗迹密度与暴胀和 SFOEWPT。而对于复单态模型，当混合角 $0.1<\theta<0.2$ 且暗物质质量约为 $\sim800$ GeV 时，也可同时获得正确的遗迹密度。