从密度到界面涨落：表面张力波长依赖性的起源

通过相应密度-密度关联函数的一般平衡性质，推导了两共存体相间涨落界面的高度-高度关联函数。可以定义一个依赖于波长的表面张力 $\gamma(\mathbf{q})$，并用直接关联函数 $c(\mathbf{r},\mathbf{r}')$、平衡密度分布 $\rho_{\circ}(\mathbf{r})$ 以及一个将密度与表面构型关联起来的算符来表示。分别确定高度-高度关联或 $\gamma(\mathbf{q})$ 的一般结构，既不需要有效界面哈密顿量概念，也不需要压力差。该结果推广了 Mecke/Dietrich 表面张力 $\gmd$ (Phys. Rev. E {\bf 59}, p. 6766 (1999))，并修正了最近发表的关于 $\gmd$ 的批评 (P. Tarazona, R. Checa and, E.Chac\'{o}n: Phys. Rev. Lett. {\bf 99}, p. 196101 (2007))。