带边缘凹缺的超导条带中的磁通穿透

本文研究置于横向磁场中的薄超导条带边缘处半圆形凹缺附近的磁通穿透。通过求解具有强非线性 $E(j)$ 关系的麦克斯韦方程组,数值计算了由凹缺引起的磁通前沿畸变。我们发现,过量的穿透量 $\Delta$ 可以显著地($\sim$ 50%)大于凹缺半径 $r_0$,这与临界态下的大块超导体中 $\Delta=r_0$ 的情形形成对比。本文还表明,磁通蠕变倾向于使磁通前沿变得平滑,即减小 $\Delta$。所得结果与对具有边缘缺陷的 YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ 薄膜中磁通穿透的磁光研究结果非常吻合。