薄膜中由于导电电子导致的磁化强度波动
材料科学
2009-11-10 v1 统计力学
摘要
我们对因 sd 相互作用引起的薄层铁磁薄膜中的阻尼和噪声进行了详细分析。磁化强度一般遵循非局部运动方程，不同于 Gilbert 方程，并推广到非绝对范畴。到 sd 相互作用最低阶并且在 Gilbert 方程适用极限下，我们显示阻尼项由于界面效应而被增强，但也随薄膜厚度呈振荡。噪声计算是对交换耦合常数进行全阶处理。对磁化强度预cession 的椭圆率进行了考虑。我们显示阻尼仅在绝对范畴中具有 Gilbert 形式，而松弛时间对薄膜几何结构具有强烈依赖。还表明，sd 噪声本质上具有彩色特征，取决于薄膜中磁化强度哈密顿量的对称性。我们表明，sd 噪声可表示为外部随机场，仅在绝对范畴中为白色。温度也被自旋积累所重整。对于较大的原子内交换相互作用，Gilbert-Brown 方程不再有效。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412510,
title = {Fluctuations of the Magnetization in Thin Films due to Conduction Electrons},
author = {A. Rebei and M. Simionato},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412510},
year = {2009}
}