三维拓扑绝缘体中单光子共振下的 Floquet-Weyl 态

量子材料在圆偏振光辐照下表现出奇异的相和电子响应，这打破了时间反演对称性并产生 Floquet 复制带。最近，由直接共振产生的 Floquet 拓扑态引起了广泛关注，例如，在单光子共振处出现 Floquet-Weyl 点，而不是通过高频展开在调制原始带内产生拓扑特征。在这项研究中，我们研究了代表性三维拓扑绝缘体 Bi$_2$Se$_3$ 中单光子共振的影响，应用圆偏振光下的 Floquet 理论。我们发现，在中间频率区域出现了四对 Floquet-Weyl 点，由原始带和单光子共振 Floquet 带之间的杂化介导，保持了晶体结构的三重旋转对称性。我们的数值计算表明，通过空穴掺杂调节化学势会产生大的反常霍尔电导，这与这些 Floquet-Weyl 点直接相关。这项工作为单光子共振 Floquet-Weyl 半金属的实验实现提供了一条高度可行的途径。