强自旋轨道耦合 Mott 绝缘体的 Floquet 工程

我们提出了一种控制具有强自旋轨道耦合的 Mott 绝缘体交换相互作用的方法。我们考虑一个具有强自旋轨道耦合和多轨道系统以及圆偏振光场，并推导其在强相互作用极限下的有效哈密顿量。将该理论应用于 $\alpha$-RuCl$_{3}$ 的最小模型，我们表明三个交换相互作用 $J$、$K$ 和 $\Gamma$ 的大小和符号可以同时改变。然后，考虑另一种情况，其中一个跳跃积分具有不同的值而其他参数与 $\alpha$-RuCl$_{3}$ 相同，我们表明海森堡相互作用 $J$ 可以变得远小于各向异性交换相互作用 $K$ 和 $\Gamma$。