Floquet 工程调控的手性诱导自旋选择性

电子自旋的控制对物质的稳定性至关重要，为操控分子与材料的性质提供了新可能，在自旋电子学与化学反应中具有潜在应用。近期实验表明，电子穿过手性分子时的透射依赖于电子自旋取向，这一现象被称为手性诱导自旋选择性（CISS）。本研究在 Floquet 工程的框架下表明，由外部圆偏振激光场驱动的的非手性系统中亦可观察到 CISS。通过采用时间周期驱动系统的 Floquet 理论研究双端构型中的自旋依赖电子输运，我们证明当光强足够强、退相干速率足够小、且两引线平均化学势处于适当取值范围内（因激光场高频而较窄）时，自旋极化可趋近于完全极化。为获得更宽能量范围内的大自旋极化，我们考虑了手性分子与光-物质相互作用的结合，并评估了激光场驱动下穿过螺旋分子的电子的自旋极化。