面向超紧凑存储环的三维螺旋注入方案的束储存首次实验演示

三维螺旋注入使超紧凑环可实现束储存。我们报道了在$22\,\mathrm{cm}$的弱聚焦环中存储$297\,\mathrm{keV/}c$电子束， revolution period为$4.7\,\mathrm{ns}$，使用$140\,\mathrm{ns}$的kick脉冲。荧光纤探测器观察到$\geq 1\,\mathrm{\mu s}$内信号超过$5\sigma$噪声，改变弱聚焦场电位 shifts存储束区域，与蒙特卡罗预测一致，验证了束储存。此原理证明为下一代精密测量铺路了通道。