双量子点中的有限频率噪声、Fano 因子、$\Delta T$-噪声与交叉关联

本文给出连接电子库的双量子点中电流涨落的理论研究，旨在推导有限频率噪声、Fano 因子与 $\Delta T$-噪声。我们建立了以双量子点中格林函数与库中自能表示的噪声通用表达式。随后将该结果应用于多种情形下的双量子点建模。对于非相互作用双量子点，我们凸显了该系统物理性质中若干有趣特征。特别地，我们证明了当系统处于给定工作区间或当两库间施加温度梯度时，可实现零频噪声与 Fano 因子的显著抑制，从而产生负的 $\Delta T$-噪声。此外，在蜂窝状顶点附近，两库间有限频率交叉关联器出现符号改变，这与零频交叉关联器相反，后者在整個 $(\varepsilon_1,\varepsilon_2)$ 平面内保持为负，$\varepsilon_{1,2}$ 为两量子点各自的能级。借助近似的一阶数值方法，我们最终研究了库仑相互作用影响下双量子点中有限频率噪声的演化。