立方手性体系中场方向敏感的斯格明子晶体：对 4f 电子化合物 EuPtSi 的启示
强关联电子
2021-11-08 v1
摘要
我们以承载非常规纳米级斯格明子晶体(SkXs)的 EuPtSi 为出发点，从理论上研究手性立方反铁磁体中磁性斯格明子晶体(SkXs)的稳定性。通过对具有长程 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用和由电子巡游性引起的多自旋相互作用的最小有效自旋模型进行数值模拟，我们阐明了 EuPtSi 中 SkXs 出现的两个关键因素：一是导致外磁场中场方向敏感 SkXs 的低对称序矢量，二是巡游磁体中自旋-电荷与自旋-轨道耦合之间的协同作用，其导致了纳米级 SkXs。本研究不仅将提供 EuPtSi 中 SkXs 的微观机制，也将为寻找更多承载短周期 SkXs 的材料提供指导。
引用
@article{arxiv.2106.00113,
title = {Field-Direction Sensitive Skyrmion Crystals in Cubic Chiral Systems: Implication to $4f$-Electron Compound EuPtSi},
author = {Satoru Hayami and Ryota Yambe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.00113},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 5 figures