过势垒区中冷铷的少光子单电离
原子物理
2023-03-29 v1
摘要
利用强度为 W/cm - W/cm 的 400 nm 飞秒激光脉冲，对磁光阱中冷却的铷(Rb)原子（其特征是基态 5 与激发态 5 共存）的光电离进行了实验与理论研究。Rb 的反冲离子动量分布(RIMD)呈现出丰富的环状结构，其能量分别对应于 5 态的单光子电离、5 态的双光子和三光子电离。随着 增大，我们发现源于 5 态的 RIMD 中近零动量(NZM)处的实验信号显著增强，其峰值的 Rb 动量明显减小，而源于 5 态的信号则保持不变。同时，5 态与 5 态的离子产额比随 增大由 变为 。这些特征表明 5 态发生了从微扰电离到强微扰电离的过渡。通过求解含时薛定谔方程(TDSE)的数值模拟可定性解释 RIMD、光离子角分布以及离子产额比的测量结果。然而，仍存在某些差异，尤其是 NZM 处的凹陷，这可能源于当前 TDSE 模拟中忽略的电子-电子关联，因为我们采用了单活性电子近似。
引用
@article{arxiv.2302.00124,
title = {Few-photon single ionization of cold rubidium in the over-the-barrier regime},
author = {Huanyu Ma and Xincheng Wang and Linxuan Zhang and Zhihan Zou and Junyang Yuan and Yixuan Ma and Rujin Lv and Zhenjie Shen and Tianmin Yan and Matthias Weidemüller and Difa Ye and Yuhai Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.00124},
year = {2023}
}