半导体双层结构中激子-电荷载流子散射的Feshbach共振
介观与纳米尺度物理
2025-03-11 v2 量子气体
强关联电子
量子物理
摘要
Feshbach共振在冷原子研究强关联物理的成功中起着至关重要的作用。近期在过渡金属硫族化物中层间空穴与层内激子散射中观测到其固态类比[Schwartz et al., Science 374, 336 (2021)]为将完全可控的相互作用引入半导体领域带来了引人注目的前景。在此,我们展示了隧穿诱导的层杂化如何导致原子级薄半导体中两类不同Feshbach共振的出现。基于微观散射理论,我们表明这两类Feshbach共振允许调控电子与短寿命层内激子以及长寿命层间激子之间的相互作用。我们从第一性原理预测了激子-电子散射相移,并展示激子-电子耦合可从强相互作用到消失相互作用完全可调。相互作用的可调性开辟了在先前仅冷原子实验可触及的体系中探索固态系统玻色-费米混合物的途径。
引用
@article{arxiv.2310.08729,
title = {Feshbach Resonances in Exciton-Charge-Carrier Scattering in Semiconductor Bilayers},
author = {Marcel Wagner and Rafał Ołdziejewski and Félix Rose and Verena Köder and Clemens Kuhlenkamp and Ataç İmamoğlu and Richard Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.08729},
year = {2025}
}
备注
12 pages, 6 figures