铁莫氏变色磁性

将铁莫氏磁性与其他铁莫氏有序性综合，如铁莫氏可切换变色磁性 [Phys. Rev. Lett. 134, 106801 (2025) 和 ibid. 106802 (2025)]，为实现铁莫氏磁性自旋分裂的非易失开关提供了有效途径。本文通过将铁莫氏磁性与铁莫氏性综合，提出了铁莫氏变色磁性的概念，即铁莫氏晶体再定向可通过铁莫氏应变效应驱动铁莫氏自旋分裂的多状态非易失开关。以单层 RuF4 和 CuF2 为材料候选者，我们展示了由铁莫氏应变状态驱动的 2 状态和 3 状态铁莫氏自旋分裂开关。传输计算表明，多状态自旋导电性质可在铁莫氏变色磁性中被铁莫氏编码，从而表明铁莫氏变色磁性作为非易失纳米机械自旋开关具有潜在应用价值。本文提出的铁莫氏变色磁性概念丰富了新兴的多铁莫氏变色磁性格局，为铁莫氏变色磁性基底的应变电子器件应用铺平了道路。