非绝热隧穿 regime 下飞秒场驱动片上单向电子电流
介观与纳米尺度物理
2021-03-10 v2 光学
摘要
近来，非对称等离激元纳米结[Karnetzky et. al., Nature Comm. 2471, 9 (2018)]已显示出作为片上电子器件将飞秒光脉冲转换为电流爆发的前景，其带宽达太赫兹量级，尽管目前仍需在低温低压下工作。此类纳米器件对新型超快电子学和光电子学应用具有极大兴趣。在此，我们在空气和室温下操作该器件，揭示了等离激元纳米结的光发射机制，以及光到电转换速度的根本限制。相干电子波包的周期间干涉导致复杂的能量电子分布并催生多光子效应。该能量结构以及波包从一尖端传播至另一尖端过程中的重塑，决定了电流的超快动力学。我们表明，在某种近似程度上，电子飞行时间由驱动场中的平均有质动力速度很好地确定。
引用
@article{arxiv.2103.03091,
title = {Femtosecond field-driven on-chip unidirectional electronic currents in nonadiabatic tunnelling regime},
author = {Liping Shi and Ihar Babushkin and Anton Husakou and Oliver Melchert and Bettina Frank and Juemin Yi and Gustav Wetzel and Ayhan Demircan and Christoph Lienau and Harald Giessen and Misha Ivanov and Uwe Morgner and Milutin Kovacev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.03091},
year = {2021}
}
备注
references updated