基于囚禁里德伯离子的快速原生三量子比特门与容错量子纠错
量子物理
2025-12-19 v1
摘要
囚禁离子是最有前景的量子信息处理平台之一,但由集体运动介导的传统纠缠门仍然缓慢且难以扩展。将囚禁离子激发到高 lying 电子里德伯态为克服这些限制提供了有前景的途径,通过支持强长程偶极-偶极相互作用来实现更快的多量子比特操作。在这里,我们提出了第一个通过优化单脉冲协议(考虑有限里德伯态寿命)来实现原生受控-受控-Z 门的方案,该方案使用微波修饰的里德伯离子。所得门在现实条件下实现了超过 97% 的保真度,执行时间约 2 微秒(低温条件下)。为探索囚禁里德伯离子在容错量子纠错中的潜力,并展示三量子比特里德伯离子门在此上下文中的效用,我们开发并分析了使用九量子比特 Bacon-Shor 码进行容错、无测量量子纠错的方案。我们的模拟证实,尽管量子比特连接性有限,量子纠错仍可在线性里德伯离子链上以完全容错的方式执行。这些结果确立了原生多量子比特里德伯离子门作为快速、高保真度量子计算的有价值资源,并突显了其在容错量子纠错中的潜力。
引用
@article{arxiv.2512.16641,
title = {Fast Native Three-Qubit Gates and Fault-Tolerant Quantum Error Correction with Trapped Rydberg Ions},
author = {Katrin Bolsmann and Thiago L. M. Guedes and Weibin Li and Joseph W. P. Wilkinson and Igor Lesanovsky and Markus Müller},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.16641},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 4 figures