量子点与量子盒耦合中的Fano-Kondo与Kondo盒区交叉
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v3
摘要
本文研究了连接导线的量子点(QD)与由量子环(QR)提供的分立单粒子态(量子盒)耦合时的Kondo效应，其中量子环被磁通穿透并侧向连接到QD。研究了体Kondo效应与所谓Kondo盒区之间的相互作用。在该系统中，QR能量可通过施加磁场连续调节。通过改变QD与QR的连接从弱耦合到强耦合，分析了这两个区之间的交叉。在弱耦合区，由于分立量子环能级与导线提供的导电Kondo通道之间的相消干涉，微分电导呈现出一系列Fano-Kondo反共振。在强耦合区，当表征Kondo盒的某个Kondo分立子能级被外加电势调谐时，微分电导出现非常尖锐的共振。电导、电流涨落和Fano系数成为揭示这两个Kondo区及其交叉区域物理性质的相关物理量。结果采用奴隶玻色子平均场理论(SBMFT)获得。
引用
@article{arxiv.1205.1744,
title = {Fano-Kondo and the Kondo-box regimes crossover in a quantum dot coupled to a quantum box},
author = {V. M. Apel and Pedro A. Orellana and Monica Pacheco and E. V. Anda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.1744},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 9 figures