石墨烯中 STM 针尖与带隙中间态之间的 Fano 干涉
介观与纳米尺度物理
2014-01-07 v2
摘要
我们分析了作为针尖 - 表面距离函数的通过衬底上电子共振的 STM 电流。我们表明，当针尖接近表面时，衬底上的电子共振与 STM 针尖中的连续导通态之间可能发生 Fano 杂化。随后，电子共振态密度在某能量处的最大值可能导致 STM 信号 出现凹陷。石墨烯中的共振（称为带隙中间态）是产生此类 Fano 干涉的良好候选者。带隙中间态可由局部缺陷或吸附物产生，我们分析了吸附物的顶位和空心位构型情况。
引用
@article{arxiv.1308.4052,
title = {Fano Interference between a STM Tip and Mid Gap States in Graphene},
author = {Omid Faizy Namarvar and Didier Mayou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.4052},
year = {2014}
}