Fano 增强的低损耗芯片上超导微波循环器

基于超导电路的量子技术高度渴求被动且易于集成在芯片上的无铁磁循环器。在先前的工作中，我们实现了一种具有明确非局域性和信号循环特性的循环器，但要求结晶能量在设计值附近 1% 的容差范围内。这种容差比标准结晶制造工艺提供的更严格，因此我们提出并演示了一种设计改进，以放宽所需的结晶制造精度，从而实现更高的器件性能和制造良率。具体而言，我们在波导之间引入较大的直接电容耦合，以创建强 Fano 散射干涉。我们测量了循环保真度超过 97%，优化后的零偏置插入损耗为 0.2 dB，隔离度为 18 dB，功率反射率为 -15 dB，与模型计算结果良好一致。