4Hb-Ta(S, Se)2块体晶体中远超泡利极限的极端轨道ab面上临界场
超导电性
2025-12-29 v2 强关联电子
摘要
过渡金属二硫化物4Hb-Ta(S, Se)2具有1T-和1H-Ta(S, Se)2层的天然异质结构，已成为关联材料因其莫特物理和可能拓扑超导性的独特组合而成为焦点。在这项工作中，我们系统地研究了4Hb-TaS2和4Hb-TaS1.99Se0.01单晶的上临界场mu0Hc2。高达35T的输运测量表明，4Hb-TaS2和4Hb-TaS1.99Se0.01的ab面和c轴上临界场（mu0Hc2,ab和mu0Hc2,c）在低至0.3K时表现出线性温度依赖行为，表明块体4Hb-Ta(S, Se)2中具有主导轨道退配对机制的三维超导性。然而，两种晶体的零温mu0Hc2,ab(0)远超过泡利顺磁极限mu0HP。这可以通过1H-Ta(S, Se)2层中自旋-动量锁定效应（局部反演对称性破缺）以及由于1T层的存在导致1H层间相对较弱的子晶格间相互作用来解释。
引用
@article{arxiv.2312.03448,
title = {Extreme orbital ab-plane upper critical fields far beyond Pauli limit in 4Hb-Ta(S, Se)2 bulk crystals},
author = {Fanyu Meng and Yang Fu and Senyang Pan and Shangjie Tian and Shaohua Yan and Zhengyu Li and Shouguo Wang and Jinglei Zhang and Hechang Lei},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.03448},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 3 figures