提取电流诱导自旋：窄霍尔接触处的自旋边界条件
介观与纳米尺度物理
2007-11-28 v1
摘要
我们考虑在具有 Rashba-Dresselhaus 自旋轨道相互作用的二维电子气（R2DEG）的霍尔几何构型中，提取由电流产生的自旋的可能性。为此，我们讨论了自旋轨道耦合区域与无自旋轨道耦合的接触区（即普通二维电子气，2DEG）之间自旋积累的边界条件。我们证明，与沿整个样品延伸的接触不同，自旋积累可以通过有限接触扩散到普通区域，并可被铁磁体等探测。对于阻抗匹配的窄接触，2DEG 中的自旋积累等于 R2DEG 体材料中的电流诱导自旋积累，仅相差一个依赖于几何形状的数值因子。
引用
@article{arxiv.0708.0244,
title = {Extracting current-induced spins: spin boundary conditions at narrow Hall contacts},
author = {I. Adagideli and M. Scheid and M. Wimmer and G. E. W. Bauer and K. Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.0244},
year = {2007}
}
备注
18 pages, 7 figures, submitted to NJP focus issue on Spintronics