声学声子的外部调制与切换：势分布的比较作用
材料科学
2015-06-26 v1
摘要
在纤锌矿半导体中，声学声子可通过电势梯度的超快位移屏蔽相干产生，并常由强内建压电场增强。在此类结构中，c面内的横向对称性阻碍了横向声学（TA）模式的产生与探测，仅产生纵向声学（LA）模式。我们表明，即便对于c-GaN，在c面内施加非对称势分布也能打破对称性与选择定则，从而开启通常禁戒的TA模式。这与LA模式形成对比，后者的强度随对称势分布而变化。通过比较具有和不具有非对称势分布结构中的瞬态微分反射谱，电致各向异性的作用进一步由TA模式的数字化出现（与单调的LA模式形成鲜明对比）以及传播速度、光学双折射和几何变化灵敏度的调制所揭示，其潜在机制通过依赖电场的介电张量扰动建模，并融合了弹性调制的结果。
引用
@article{arxiv.1506.07621,
title = {External Modulation and Switching of Acoustic Phonons: Comparative Roles of Potential Distributions},
author = {H. Jeong and Y. D. Jho and S. H. Rhim and K. J. Yee and J. P. Shim and D. S. Lee and J. W. Ju and J. H. Baek and C. J. Stanton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.07621},
year = {2015}
}