用于单自旋量子逻辑门的指数衰减局部磁场
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2 量子物理
摘要
已知平行的电流导线阵列在相邻导线电流方向相反的情况下，可产生指数衰减的局部磁场。我们表明，由几十根超导 Nb 纳米线构成的有限阵列可产生 10mT 的峰值磁场，沿长度尺度 500nm 衰减因子为 。这种阵列可被当前技术轻松制造，且与半导体和超导量子计算机架构兼容。一组此类阵列可用于针对间距可达 100nm 的单个单自旋或通量量子比特进行单独寻址，可实现 5ns 的量子逻辑门时间。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310352,
title = {Exponentially Localized Magnetic Fields for Single-Spin Quantum Logic Gates},
author = {Daniel A. Lidar and Joseph H. Thywissen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310352},
year = {2009}
}
备注
5 pages, incl. 4 figures