亚微米 Bi-2212 叠层中存在库仑充电效应的实验证据
超导电性
2009-10-31 v1
摘要
我们发展了聚焦离子束（FIB）与离子铣削技术，用于制备 Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+\delta}（Bi-2212）堆叠结，其面内尺寸 L_{ab} 从数微米直至亚微米尺度而不降低 T_c。我们发现亚微米结（L_{ab} < 1 {\mu}m）的行为与较大结截然不同。临界电流密度被显著抑制，IV 特性的迟滞与多分支结构消失，在低温下 IV 曲线上可重复出现电流峰的周期性结构。该结构的周期 {\Delta}V 与单对的库仑充电能一致，{\Delta}V = e/C，其中 C 为叠层的有效电容。我们认为此行为源于亚微米 Bi-2212 叠层中本征约瑟夫森隧穿的库仑阻塞。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9903134,
title = {Experimental Evidence for Coulomb Charging Effects in the Submicron Bi-2212 Stacks},
author = {Yu. I. Latyshev and S. -J. Kim and T. Yamashita},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9903134},
year = {2009}
}
备注
13 pp, incl. 1 table and 4 figs