室温下石墨烯磁逻辑门中XOR操作的实验演示
介观与纳米尺度物理
2016-04-13 v1
摘要
我们报道了基于石墨烯构建的磁逻辑门在室温下的实验演示。该磁逻辑门由接触单层石墨烯自旋通道的三个铁磁电极组成，并依赖石墨烯中的自旋注入与自旋输运。我们利用自旋注入的电偏置调谐来平衡输入并实现“异或”(XOR)逻辑操作。此外，器件性能仿真表明，通过优化器件参数（如器件尺寸）可在面向自旋电子学应用方面取得实质性改进。该进展有望作为基于自旋的信息处理的基本构建模块。
引用
@article{arxiv.1511.08978,
title = {Experimental Demonstration of XOR Operation in Graphene Magnetologic Gates at Room Temperature},
author = {Hua Wen and Hanan Dery and Walid Amamou and Tiancong Zhu and Zhisheng Lin and Jing Shi and Igor Žutić and Ilya Krivorotov and Lu J. Sham and Roland K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08978},
year = {2016}
}
备注
23 pages, 4 figures