ExoMol 线列表——XLIV. 一氧化硅 (SiO) 的红外与紫外线列表

我们呈现一个名为 SiOUVenIR、覆盖红外、可见与紫外区域的新一氧化硅 ($^{28}$Si$^{16}$O) 线列表。该线列表通过纳入向 $A\,{}^{1}\Pi$ 与 $E\,{}^{1}\Sigma^{+}$ 电子态的振电子跃迁，扩展了红外 EBJT ExoMol 线列表。对 $A\,{}^{1}\Pi$ 带系的强扰动通过处理 6 个暗电子态得以精确建模：$C\,{}^{1}\Sigma^{-}$、$D\,{}^{1}\Delta$、$a\,{}^{3}\Sigma^{+}$、$b\,{}^{3}\Pi$、$e\,{}^{3}\Sigma^{-}$ 与 $d\,{}^{3}\Delta$。连同 $X\,{}^{1}\Sigma^{+}$ 基态，这 9 个电子态被用于构建 SiO 的综合光谱模型，结合经验与 ab initio 曲线，包括势能 (PE)、自旋-轨道 (SO)、电子角动量 (EAM) 与（跃迁）偶极矩曲线。在 multireference configuration interaction (MRCI) 理论水平上计算的 ab initio PE 与耦合曲线，通过将其解析表示拟合到经 MARVEL 流程确定的、源自属于 $X$-$X$、$E$-$X$ 与 $A$-$X$ 电子系的 97 个振电子带的 2617 个实验推导 SiO 能级而得以精修。利用我们的预测归属了来自 $C$-$X$、$D$-$X$、$e$-$X$ 与 $d$-$X$ 带的 112 个观测禁戒跃迁，这些可反馈进 MARVEL 流程。SiOUVenIR 线列表使用已发表的 $E$-$X$ 与 $A$-$X$ 带 ab initio 跃迁偶极矩计算；该线列表适用于高达 10,000 K 的温度与长于 140 nm 的波长。SiOUVenIR 可从 www.exomol.com 与 CDS 数据库获取。