基于手袋法在中国电子离子对撞机上的排他性 $\pi^0$ 产生

S. V. Goloskokov; Ya-Ping Xie; Xurong Chen

doi:10.1088/1674-1137/ac878c

基于手袋法在中国电子离子对撞机上的排他性 $\pi^0$ 产生

高能物理 - 唯象学 2022-12-07 v3

作者: S. V. Goloskokov , Ya-Ping Xie , Xurong Chen

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摘要

在基于广义部分子分布 (GPDs) 因子化的手袋法框架内，分析了排他性 $\pi^0$ 电产生。我们考虑了领头扭度贡献及横向性效应。结果表明，横向性 $H_T$ 与 $\bar E_T$ GPDs 对描述 $\pi^0$ 截面至关重要。给出了对未来中国电子离子对撞机 (EicC) 能区的预言。发现低能区观测到的横向性主导 $\sigma_T\gg\sigma_L$ 直至 EicC 能区依然成立。

关键词

排他性 π⁰ 产生手袋法广义部分子分布横向性电子离子对撞机电产生

引用

@article{arxiv.2206.06547,
  title  = {Exclusive $\pi^0$ production at EIC of China within handbag approach},
  author = {S. V. Goloskokov and Ya-Ping Xie and Xurong Chen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.06547},
  year   = {2022}
}

备注

14 pages, 16 figures

基于手袋法在中国电子离子对撞机上的排他性 $\pi^0$ 产生

摘要

关键词

引用

备注

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