一维莫特绝缘体共振非弹性 X 射线散射谱的精确对角化结果
强关联电子
2012-03-02 v2
摘要
我们研究了半满（扩展）哈伯德环中间接和直接共振非弹性 X 射线散射（RIXS）过程的动量依赖激发谱。我们确定了基态 RIXS 响应的基本特征，并讨论了能够区分一维铜氧化物材料中这些特征低能部分的实验条件，特别关注间接和直接 RIXS 过程中出现的不同磁激发。我们研究了自旋和电荷激发对共振选择及失谐的依赖性。此外，还计算了末态激发权重作为芯空穴势强度和寿命的函数。我们证明，这些结果可用于从 RIXS 测量中确定材料特性，例如芯空穴性质。
引用
@article{arxiv.1111.6028,
title = {Exact diagonalization results for resonant inelastic x-ray scattering spectra of one-dimensional Mott insulators},
author = {Stefanos Kourtis and Jeroen van den Brink and Maria Daghofer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.6028},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 4 figures; v2: references added, published version