证据表明50%的BALQSO外流位于距中心源至少100 pc处

确定类星体吸收外流距离最稳健的方法是使用离子激发态的槽线。激发态与共振态之间的柱密度比给出外流的数密度。结合外流电离参数的知识，可确定距中心源的距离(R)。本文报告了两项针对显示S IV槽线的外流的巡天结果。一项巡天包含1091条SDSS与BOSS类星体光谱，另一项包含用甚大望远镜观测的13个类星体的更高质量光谱。我们的S IV样本包含38个宽吸收线(BAL)外流和4个迷你BAL外流。S IV形成于外流中与典型外流识别物种C IV相同的物理区域。我们的结果显示，S IV吸收仅在25%的C IV BAL外流中被探测到。较低的探测比例源于探测S IV吸收所需更高的总柱密度($N_H$)。由于R与$N_H$经验反相关，这些巡天的结果也可外推至具有更低$N_H$的C IV类星体外流。我们发现至少50%的类星体外流位于距中心源大于100 pc处，至少12%位于大于1000 pc处。这些结果对类星体外流的起源与加速机制及其对宿主星系影响的研究具有深远意义。