单层1T-TaSe$_2$上钴原子的自旋子Kondo效应证据
强关联电子
2022-11-21 v1 材料科学
摘要
量子自旋液体（QSLs）是出现在受阻挫莫特绝缘体中的高度纠缠、无序的磁态，并承载诸如自旋子和电荷子之类的奇异分数化激发。尽管是电荷绝缘体，某些QSLs被预言表现出无隙的巡游自旋子，从而在自旋通道中产生金属性行为。我们将孤立的磁性原子沉积到无隙QSL候选材料单层（SL）1T-TaSe上，以实验探究巡游自旋子如何与杂质自旋中心耦合。利用扫描隧穿谱，我们观察到当钴吸附原子被置于与哈伯德带电荷分布具有最大空间重叠的位置时，在1T-TaSe哈伯德带边缘出现了新的、由杂质诱导的共振峰。当空间重叠减小或磁性杂质被非磁性杂质替代时，这些共振峰消失。采用结合无隙量子自旋液体的修正安德森杂质模型进行的理论模拟表明，这些共振峰与由自旋子诱导的Kondo共振以及由于QSL规范场涨落而产生的自旋子-电荷子束缚效应一致。
引用
@article{arxiv.2202.07224,
title = {Evidence for a spinon Kondo effect in cobalt atoms on single-layer 1T-TaSe$_2$},
author = {Yi Chen and Wen-Yu He and Wei Ruan and Jinwoong Hwang and Shujie Tang and Ryan L. Lee and Meng Wu and Tiancong Zhu and Canxun Zhang and Hyejin Ryu and Feng Wang and Steven G. Louie and Zhi-Xun Shen and Sung-Kwan Mo and Patrick A. Lee and Michael F. Crommie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.07224},
year = {2022}
}