分子磁体中量子与经典区域之间的逃逸率交叉：对角化方法
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们数值研究了任意方向磁场下单轴自旋系统的逃逸率量子-经典交叉。利用简单的量子过渡态理论，我们得到了区分一级交叉和二级交叉的边界，以及横向场和纵向场存在时的逃逸率。结果适用于分子纳米磁体 Mn。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0005530,
title = {Escape-Rate Crossover between Quantum and Classical Regimes in Molecular Magnets: A Diagonalization Approach},
author = {Gwang-Hee Kim and E. M. Chudnovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005530},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 5 figures