囚禁离子的抗误差单量子比特门
量子物理
2011-12-23 v1
摘要
展示了用于实现囚禁离子单和多量子比特量子门的相干操作，这些操作对实验参数的变化和固有的不确定系统参数具有鲁棒性。特别地，首次在囚禁离子中展示了使用最优控制理论开发的脉冲。系统地研究了它们作为误差参数函数的性能，并与复合脉冲进行了比较。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0612106,
title = {Error-resistant Single Qubit Gates with Trapped Ions},
author = {N. Timoney and V. Elman and W. Neuhauser and Chr. Wunderlich},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0612106},
year = {2011}
}
备注
5 pages 5 figures