对称破缺双层石墨烯中量子霍尔边缘的均衡
介观与纳米尺度物理
2018-10-24 v1
摘要
我们在高质量双栅极双层石墨烯器件中研究了当零能朗道能级的所有简并被完全解除时，在单极与双极区下的量子霍尔边缘均衡。我们发现，在单极区中当顶栅区域填充因子高于背栅填充因子时，均衡基于其自旋极化是部分的。然而，在双极区中由于我们的薄 hBN（约 15 nm）封装器件中尖锐 pn 结处朗道能级塌缩，无论其自旋构型如何均观察到边缘态的完全混合，与现有理论一致。
引用
@article{arxiv.1807.07321,
title = {Equilibration of Quantum hall edges in symmetry broken bilayer graphene},
author = {Chandan Kumar and Saurabh Kumar Srivastav and Anindya Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.07321},
year = {2018}
}