绝缘体上硅中的外延单T中心
量子物理
2026-07-07 v1
摘要
基于硅量子发射体的自旋-光子接口为量子计算和量子网络提供了一个可扩展的平台。然而，由于严格的材料质量要求，实现相干光子发射仍然是一个主要挑战。为了克服这一点，我们利用高纯度分子束外延 (MBE) 在绝缘体上硅 (SOI) 晶圆中外延掺入单个 T 中心。我们展示了与纳米光子波导耦合的单 T 中心发射，并观察到均匀展宽的显著抑制，使用天然硅进行晶体生长，产生了窄至 30 MHz 的光学线宽。这些结果确立了外延 T 中心作为硅量子光子学中相干自旋-光子接口的坚实基础。
引用
@article{arxiv.2607.06272,
title = {Epitaxial single T centres in silicon-on-insulator},
author = {Christian H. Christiansen and Kasper H. Nielsen and Alisha Nanwani and Sebastiano Guaraldo and E. Laurits Piehorsch and Arnulf J. Snedker-Nielsen and Magnus L. Madsen and David R. Gongora and Emanuele Brusaschi and Rodrigo A. Thomas and Ian Farrer and D. Hieu Nguyen and Georgios Kountouris and Beñat M. d. A. Jokisch and Mohammad Khalifa and Claudia Piccinini and Mathias Ø. Augustesen and Hugo Laurell and Kokeb B. Benti and Maria S. Gonzalez and Amedeo Carbone and Elvedin Memisevic and Sangeeth Kallatt and Mark K. Svendsen and Marianne E. Bathen and Lasse Vines and Peter Granum and Peter Krogstrup and Stefano Paesani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2607.06272},
year = {2026}
}
备注
9 pages